Nexperia：GaNベースEVインバータ設計でRicardoと提携

• 2020/02/27
• Motor Fan illustrated編集部

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Nexperia（ネクスペリア）は、窒化ガリウム（GaN）技術ベースのEVインバータ用技術デモンストレータの製作に関して、Ricardo（リカルド）との提携を発表した。

　GaN FETは、こうしたアプリケーションにおけるスイッチとしてより好ましい選択肢である。なぜなら、熱性能の向上とスイッチング・トポロジの簡便化により、より高効率、低コストのシステムを実現できるから。自動車に関して言えば、これは、電気自動車の購入を考えている人にとって大きな関心事である、航続距離が延びることを意味する。GaNは、プラグイン・ハイブリッドや完全電池式EVに使用されるトラクション・インバータのより好ましい技術選択肢として、シリコンベースのIGBTやSiCに今にも取って代わろうとしている。

　Nexperiaは昨年、AEC-Q101準拠のGaNデバイスの製品群を発表、パワートレインの電動化に必要なパワー密度を提供する高効率技術で、実績のある信頼性の高いデバイスのポートフォリオをさらに拡大し、自動車設計者に提供している。リカルドは、自動車業界で高く評価されている世界的な技術革新企業であり、プロトタイプの製作や実証試験等も含めて、自動車業界におけるコンセプトの設計やコンサルティングを手掛けている。McLaren（マクラーレン）やBugatti（ブガッティ）といった著名な一流ブランドとも協力関係にある。今回のプロジェクトにおいて、リカルドはNexperiaにとって完璧なパートナーだった。

　NexperiaのGaNゼネラル・マネージャであるマイケル・ルゴフ氏（Michael LeGoff）は次のように述べている。「当社のGaNデバイスをインバータの設計に組み込み、リカルドを通して評価することで、安全かつ信頼性の高い自動車走行がどのように実現されるか理解を深めることが可能となります。自動車設計者の多くが興味があるであろう、また非常に有益だと感じるであろう本当のソリューションを開発しているのです」

　リカルドの技術・製品担当ディレクターであるアドリアン・グリーニー氏（Adrian Greaney）は次のように述べている。「半導体技術は、インバータ・システムの効率性の鍵であり、電気自動車の性能および効率性においてインバータ・システムが果たす役割の決め手でもあります。スイッチング速度および効率性に大きなプラスをもたらす窒化ガリウムは、正に実現技術です。 EVの航続距離の延長に加えて、パッケージ・サイズの縮小、インバータの重量削減も可能となり、パワートレインの設計自由度の拡大と自動車の重量削減にも貢献します。システムレベルから設計を眺めることは、他にも多くの利点をもたらします。ですから、当社は、GaNデバイスにおいてNexperiaと協力できることをうれしく思っています」